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技術(shù)編號(hào)：3419794

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本發(fā)明涉及一種金屬有機(jī)化合物汽相淀積(MOCVD)設(shè)備及其生長薄膜材料的工藝方法，特別是涉及一種用于生長寬帶隙半導(dǎo)體氧化鋅(ZnO)薄膜的MOCVD設(shè)備及其工藝。氧化鋅(ZnO)材料是繼氮化鎵(GaN)之后世界熱點(diǎn)研究的又一種重要寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙和晶格常數(shù)與GaN非常接近，晶型相同，有相近光電特性。而ZnO還具有更高的熔點(diǎn)和激子束縛能，激子增益更高，外延生長溫度低、成本低，容易刻蝕而使后繼加工工藝更方便等優(yōu)于GaN的多種特性，顯示出比GaN具有更大...
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