技術(shù)編號:3420074
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜的制備方法及裝置,特別是涉及到利用濺射制備薄膜。背景技術(shù)磁控濺射儀是制備薄膜的一種常用設(shè)備,其主要工作機(jī)理是利用輝光放電。正如尚世鉉等人在“近代物理實(shí)驗(yàn)技術(shù),高等教育出版社,1993年6月,P345”中描述的那樣磁控濺射儀設(shè)備中有一對電極,其中一個(gè)用作鍍膜材料的靶,它處于負(fù)高壓。被鍍基片放在靶對面的另一電極——陽極上,一般使陽極接地。對于直流濺射,兩電極之間的電壓可高達(dá)數(shù)千伏。為了防止工作室內(nèi)殘余氣體的污染,工作室應(yīng)首先抽成10-4Pa以...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。