技術編號：3422874
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及把材料氣體進行熱分解而在半導體襯底上形成預定膜的，特別是涉及使用CVD裝置進行的成膜方法。背景技術 在IC和LSI等半導體器件的制造中，多晶硅膜和W(鎢)等導電膜由減壓CVD法來形成。作為例子，在圖1中表示了形成多晶硅膜的減壓CVD裝置的簡要情況。50至150個半導體晶片(以下稱為晶片)11被放置在晶片舟12上。石英管13的內部設置石英內管113。在石英管13外設置加熱晶片11的加熱器14，產(chǎn)生輻射熱。輻射熱通過石英管13、石英內管113的壁而到...
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