技術(shù)編號:3423421
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在氣密密封氣氛下進行的處理基片的方法、同樣在氣密密封氣氛下進行的制造電子源的方法和制造電子源的設(shè)備。背景技術(shù) 通常,作為電子發(fā)射器件,一般有兩種類型,即熱電子發(fā)射器件和冷陰極電子發(fā)射器件。冷陰極電子發(fā)射器件包括場發(fā)射電子發(fā)射器件、金屬/絕緣體/金屬電子發(fā)射器件、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件等。表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器件利用了其中通過允許電流在基片上形成的小面積薄膜中并平行于膜表面流動而產(chǎn)生電子發(fā)射的現(xiàn)象。例如在日本專利申請?zhí)卦S公開JP7-235255、8-17...
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