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技術(shù)編號(hào)：3427162

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及提高M(jìn)OS晶體管載流子遷移率的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域里，已知在摻雜區(qū)上形成應(yīng)力膜可向其下層的摻雜區(qū)產(chǎn)生機(jī)械 應(yīng)力，從而使得摻雜區(qū)內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力來增加相關(guān)半導(dǎo)體元件的速度。這樣的應(yīng)力增進(jìn)了摻雜 雜質(zhì)的遷移率。遷移率增加的摻雜雜質(zhì)中的電荷載流子可使半導(dǎo)體元件，例如晶體管，有更 高的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，因此各種適當(dāng)應(yīng)用中使用應(yīng)力膜是有益的。在過去的十幾年之間，利用縮減MOS晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
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