技術(shù)編號(hào)：3428752
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制備半導(dǎo)體薄膜的反應(yīng)濺射系統(tǒng)。 背景技術(shù)傳統(tǒng)的反應(yīng)濺射系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括真空腔室、濺射電源以及分別與真空腔室相連的 抽真空系統(tǒng)、晶圓傳遞系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)。其中在真空腔室內(nèi)底部中央位置設(shè)有晶圓載 臺(tái)，該晶圓載臺(tái)上面放置相當(dāng)于陽極的需要被濺射的晶圓。在真空腔室的頂部設(shè)有靶材裝 置，該靶材裝置包括放置靶材的基座、連接在基座上的陰極靶材以及旋轉(zhuǎn)的強(qiáng)磁鐵陣列。濺 射工藝在一定的真空環(huán)境下進(jìn)行，當(dāng)真空腔室內(nèi)通入一定量的氬氣，并在陰極和陽極之間 加上電壓，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。