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技術編號：3428849

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本發(fā)明是有關一種修整器及其制法，尤其是有關CMP拋光墊的組合式修整器及其 制法。背景技術化學機械拋光(ChemicalMechanical Planarization, CMP)是目前半導體晶片 (晶圓)表面平坦化的工藝中最受矚目的技術。在化學機械拋光工藝中，拋光墊的功能是將 拋光液穩(wěn)定而均勻地輸送至晶片與拋光墊之間，在化學蝕刻與機械磨削兩者相互作用下， 將芯片上凸出的沉積層移除。為了達到晶片加工量產的需求及維持品質的穩(wěn)定性，必須利用鉆石修整器 (Diam...
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