技術(shù)編號(hào):3435767
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用化學(xué)試劑從含有金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物的原料中去除一種或多種物質(zhì)的方法,其中,所述原料的形式為細(xì)顆粒,優(yōu)選為納米顆粒。更具體地,本發(fā)明涉及由二氧化硅、硅酸鹽和/或冶金硅(metallurgical grade silicon)的納米顆粒生產(chǎn)高純度的硅。背景技術(shù)硅被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中,例如半導(dǎo)體、集成電路和光伏電池(也稱為太陽能電池)的生產(chǎn)中。通常要求具有很高的純度,精確的純度等級(jí)取決于最終的應(yīng)用。典型地,光伏級(jí)硅(phot...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。