技術(shù)編號:3435908
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種電路和方法,用于改進諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),尤其是功率MOSFET,之類的絕緣柵半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度。背景技術(shù) 晶體管結(jié)中固有的電容限制了電路中電壓的開關(guān)速度。眾所周知,密勒效應(yīng)對上述類型器件的柵極電容有影響?,F(xiàn)有技術(shù)講授了緩和高頻晶體管開關(guān)電路中密勒效應(yīng)的許多方法,例如,通過降低源極阻抗或降低反饋電容,或兩者。即使具有這種改進,諸如IRF740之類的MOSFET的輸出一般以10安培的峰值電流以約27毫微秒的上升時間...
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