技術(shù)編號(hào)：3443148
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微納米晶及其制備方法，特別涉及一種三維三枝枝晶形貌的碲半導(dǎo)體微納米晶及制備方法。背景技術(shù)隨著現(xiàn)代微電子技術(shù)的發(fā)展，各種光電子器件的微型化對(duì)材料科學(xué)提出了更高的要求，納米材料科學(xué)是當(dāng)前材料研究最活躍、最熱點(diǎn)的學(xué)科之一。半導(dǎo)體微納米材料，由于存在著顯著的量子尺寸效應(yīng)，因此它們的物理、化學(xué)性質(zhì)迅速成為目前最活躍的研究領(lǐng)域之一，其中獲得排列整齊、分布均勻和高度結(jié)晶的微納米材料是至關(guān)重要的。單質(zhì)碲是一種窄帶隙(直接禁帶寬度0. 32eV)的元素半導(dǎo)體材...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。