技術(shù)編號(hào):3445224
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,所述聚硅烷為每種情況下具有至少一個(gè)直接的S1-Si鍵的純化合物或化合物的混合物,所述化合物的取代基僅由鹵素和/或氫構(gòu)成,并且其組成的取代基硅的原子比例為至少11。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù),聚硅烷通過多種方法制備,例如通過用或不用還原劑將氣相氯硅烷加熱到較高溫度(高于700°C )。但是,如此獲得的氯化的聚硅烷(PCS)僅僅具有高比例的短鏈、支鏈和/或環(huán)形分子,并且另外被溶劑/催化劑或來自反應(yīng)器壁的物質(zhì)污染。此外,現(xiàn)有技術(shù)中描述的制備聚硅烷的方法的缺點(diǎn)是它們...
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