技術(shù)編號:3445750
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米材料,具體涉及在銅襯底上制備六硼化鑭納米線的方法。背景技術(shù)六硼化鑭具有功函數(shù)低、蒸發(fā)率(高溫下)低、高亮度、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度高等特點(diǎn),因此LaBJt為極好的冷陰極發(fā)射源廣泛應(yīng)用于國防工業(yè)和民用工業(yè),如掃描電鏡、透射電鏡、場發(fā)射壓力傳感器等高性能電子源器件。LaB6具有低功函數(shù)(2.6eV)和低蒸發(fā)率,這意味著其作為場發(fā)射電子源應(yīng)用時(shí),有著較低的操作電壓和較長的壽命。Fowler-Sondheim(FN)公式表明由低功函數(shù)和高長徑比材料制作...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。