技術(shù)編號(hào):3451037
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硒化鋅空心微米球的制備方法,屬于納米材料領(lǐng)域。背景技術(shù)I1-VI族(MS、MSe、MTe,M代表金屬)半導(dǎo)體納米材料因?yàn)榫哂刑厥獾墓鈱W(xué)非線性、熒光特性等重要的物理化學(xué)性質(zhì),在許多領(lǐng)域(太陽能電池、固體發(fā)光、激光、紅外探測器、壓電效應(yīng)等)都有著巨大的應(yīng)用前景。作為寬禁帶I1-VI族直接躍遷型半導(dǎo)體材料,ZnSe具有面心立方結(jié)構(gòu),其體相材料禁帶寬度在室溫下是2.67eV,近帶邊發(fā)射剛好落在藍(lán)光區(qū),是研制藍(lán)色發(fā)光二極管、藍(lán)色激光器以及其它光電材料的首選...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。