技術(shù)編號:3451312
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于納米材料,具體涉及,尤其是可以規(guī)?;a(chǎn)的方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的納米硅制備方法可歸結(jié)為兩類方法第一類方法是裂解小分子形成納米硅粒子(Bottom Up)。通常以硅烷(CH4)為原料借用高功率激光或等離子體的能量進行脫氫,將S1-H鍵斷裂生成S1-Si鍵、硅核(Six)、以至硅粒子。這類方法的通病是脫氫不完全、原材料轉(zhuǎn)化率低、產(chǎn)率低。由于不完全脫氫,產(chǎn)品常包含有危害性的氣體,比如未反應(yīng)的原料氣體(CH4)、反應(yīng)中間體多聚硅烷、以及脫氫反應(yīng)的副產(chǎn)物氫氣...
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