技術(shù)編號(hào):3451449
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及,特別是利用電弧爐/氬弧爐做金屬硅精純處理的金屬硅原料提純制備方法。 背景技術(shù) 國(guó)際上金屬硅原料制備的主流技術(shù)是利用電弧爐/氬弧爐進(jìn)行高溫熔煉,石英(SIO2)與碳在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)(金屬)硅,其化學(xué)反應(yīng)SiO2+C→Si+CO2↑。金屬硅是太陽(yáng)能電池多晶硅的主要原材料,金屬硅的提純精度直接影響到太陽(yáng)能多晶硅的提純效率、成本及效果。如Si(s)+3HCl(g)=SiHCI3(g)+H2(g)(放熱)生成的SiHCI3與PC...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。