技術(shù)編號:3459070
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及ITO靶材的原材料In2O3、ITO的制備方法,特別是ITO靶材單分散納米In2O3、ITO粉體的制備方法。背景技術(shù) 伴隨著液晶顯示的發(fā)展,用于透明電極的銦錫氧化物(ITO)需要量急劇增加。目前,世界上的發(fā)達(dá)國家如日本、美國、英國、法國等國將一半左右的銦用于制備ITO材料。它們普遍采用銦錫氧化物制成靶材,然后用直流磁控濺射法將靶材制成ITO薄膜。這種薄膜對可見光透明,能強(qiáng)烈反射紅外光,有低的膜電阻,因而在液晶顯示、隔熱玻璃、太陽能電池和收集器、車...
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