技術(shù)編號(hào):3465246
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于冶金法提純多晶硅的,特別涉及真空感應(yīng)熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質(zhì)的方法,另外還涉及其設(shè)備。背景技術(shù)全球能源危機(jī)使得能源利用顯得日趨緊迫,太陽能作為一種綠色環(huán)保、可再生的清潔型能源在能源結(jié)構(gòu)中將占據(jù)重要的地位,成為未來發(fā)展的能源保障。太陽能級(jí)多晶硅材料是太陽能利用的重要材料,但是,為確保光電轉(zhuǎn)換效率,對(duì)太陽能級(jí)硅的純度要求很高,對(duì)其中雜質(zhì)含量的要求要低于0. lppm。目前,生產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅的途徑主要有兩類,一是通過化學(xué)方法來生產(chǎn)多晶硅; 二是通過...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。