技術(shù)編號(hào)：3465923
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種二氧化硅的制備方法，尤其涉及微米或納米級(jí)單分散二氧化硅的制備方法。 背景技術(shù)四氯化硅作為生產(chǎn)多晶硅的主要副產(chǎn)物，因其腐蝕性強(qiáng)，不便儲(chǔ)藏和運(yùn)輸，易揮發(fā)，因而對(duì)安全生產(chǎn)和環(huán)境保護(hù)產(chǎn)生了極大的壓力，如何利用、消化這一副產(chǎn)物已經(jīng)成為我國有機(jī)硅和多晶硅行業(yè)的迫在眉睫的問題。目前，國內(nèi)外主要通過兩種方法處理四氯化硅，一種是采用氣相法生產(chǎn)白炭黑，但這種方法所需生產(chǎn)成本較高；另一種方法是采用氫化還原技術(shù)制備三氯氫硅，但其一次轉(zhuǎn)化率低且危險(xiǎn)性大。有鑒于此，在實(shí)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。