技術(shù)編號(hào):3467006
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種BaGa2SiSe6化合物、BaGa2SiSe6的非線(xiàn)性光學(xué)晶體(BaGa2SiSe6單晶)及該BaGa2SiSe6單晶的制備方法和該晶用于制作的非線(xiàn)性光學(xué)器件的用途。背景技術(shù)具有非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)的晶體稱(chēng)為非線(xiàn)性光學(xué)晶體。這里非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)是指倍頻、和頻、差頻、參量放大等效應(yīng)。只有不具有對(duì)稱(chēng)中心的晶體才可能有非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)。利用晶體的非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng),可以制成二次諧波發(fā)生器,上、下頻率轉(zhuǎn)換器,光參量振蕩器等非線(xiàn)性光學(xué)器件。激光器產(chǎn)生的激光可通過(guò)非...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。