技術編號：3468648
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于光電信息功能材料領域，涉及一種氣相沉積方法摻雜氧化鋅納米材料 的制備方法。 背景技術透明導電氧化物半導體薄膜(TCO)由于其獨特的光學、電學特性，已經被運用 到很多領域，如壓電換能器、光電顯示器、太陽能電池、氣敏傳感器及光波導等。 目前發(fā)展最為成熟的TCO為Iri203.'Sn (ITO)，其靶材制備與成膜工藝都已完善，處于 產業(yè)化生產階段，但是這種材料存在以下不足之處(1) ITO中In的價格昂貴，造成 ITO的成本比較高；(2) ITO薄膜制...
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