技術(shù)編號(hào):3469045
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于材料制取設(shè)備類,尤其涉及納米碳結(jié)構(gòu)材料的制取設(shè)備。背景技術(shù) 目前,制取納米碳結(jié)構(gòu)材料的方法多種多樣,其中真空碳弧燃燒合成法最為普遍,然而其設(shè)備占地面積大,單臺(tái)設(shè)備約需100m2。真空碳弧燃燒合成時(shí)使用2000mm×40mm×40mm的碳極,成本昂貴,每根約2000美圓。同時(shí),耗電大,需要30kVA/h電能;制備過(guò)程中碳也不能充分燃燒,成品率低,僅為所燒碳的3~4‰。并且,制備過(guò)程中弧長(zhǎng)不能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,忽長(zhǎng)忽短,易于斷弧,造成碳弧燃燒合成過(guò)程中時(shí)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。