技術(shù)編號(hào):3495198
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及通式(H)mM(R)n代表的有機(jī)金屬前體化合物,其中M是金屬或準(zhǔn)金屬,R 是相同或不同的、取代的或未取代的、飽和或不飽和的含有至少一個(gè)氮原子的雜環(huán)基,m為 0至小于M的氧化態(tài)的值,η為1至等于M的氧化態(tài)的值,而m+n的值等于M的氧化態(tài);涉及 該有機(jī)金屬前體化合物的制備方法;以及涉及由該有機(jī)金屬前體化合物制備膜或涂層的方法。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積法用于在半導(dǎo)體制造或加工期間在諸如晶片或其他表面的基材上 形成材料膜。在化學(xué)氣相沉積中,化學(xué)氣相沉...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。