技術(shù)編號:3548964
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由化學(xué)氣相蒸鍍法(Chemical Vapor Deposition,下面稱做CVD法)、涂布熱分解法等制造含釕薄膜時可使用的有機釕絡(luò)合物、其制造方法以及用于半導(dǎo)體存儲元件等的含釕薄膜的制造方法。背景技術(shù) 伴隨著半導(dǎo)體存儲元件的高度集成化,存儲單元進(jìn)一步得到微細(xì)化,在電容器絕緣膜上使用(Ba、Sr)TiO3等強電介質(zhì)薄膜的間題受到了研究。在使用強電介質(zhì)薄膜的電容器中,以Pt、Ru、Ir等貴金屬作為電極。其中Ru,由于其氧化物具有導(dǎo)電性且其精細(xì)加工...
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