技術編號：3590461
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。光致生酸劑和包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑背景技術基于短波輻射(例如在193nm處運行ArF準分子激光器產(chǎn)生)或其它類似的短波源的改進的光刻技術能用于通過增加集成電路的器件密度得到更快且更高效的半導體器件?？捎糜谶@種短波應用的光致抗蝕劑材料包括化學擴增型輻射敏感樹脂組合物，它依賴于包含酸不穩(wěn)定官能團的樹脂組分和通過輻照產(chǎn)生酸的光致生酸劑(PAG)的有效相互作用。用于ArF準分子激光器光刻技術的光致抗蝕劑材料的必需性質(zhì)包括在193nm處的透明度(即低光學密度...
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