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聚a-羥基酸修飾的CdTe量子點(diǎn)及其制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:3715579

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本發(fā)明公開了一種聚a-羥基酸修飾CdTe量子點(diǎn)的制備方法。以巰基乙醇為配體,用水相法制備表面為巰基乙醇修飾的CdTe量子點(diǎn),用CdTe量子點(diǎn)表面的羥基引發(fā)a-羥基酸氧酸酐聚合,在CdTe量子點(diǎn)的表面引入聚乳酸、聚乙醇酸及聚扁桃酸等聚a-羥基酸,從而實(shí)現(xiàn)對CdTe量子點(diǎn)的聚合物改性。聚a-羥基酸修飾的CdTe量子點(diǎn)具有良好的親水性和穩(wěn)定性,熒光性能優(yōu)良和生物相容性好等優(yōu)點(diǎn),可作為新型熒光納米探針廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及...
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