技術(shù)編號：3731804
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于微電子領(lǐng)域的拋光液，特別涉及一種用于大規(guī)模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液。背景技術(shù) 目前，超大規(guī)模集成電路的布線層數(shù)在不斷增加，每一層都要求全局平面化，化學(xué)機械拋光是唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的方法。CMP的研究工作過去主要集中在美國以SEMTECH為主的聯(lián)合體，在它的推動下CMP技術(shù)最早于1994年首先在美國進(jìn)入工藝線應(yīng)用。隨后，日本于1995年初也開始將CMP工藝引入其0.5μm工藝線的氧化膜平面化工藝，1996年開始用于鎢的平面化工...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。