技術(shù)編號：3735913
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米發(fā)光材料領(lǐng)域。 背景技術(shù)Gd3GaA2晶體屬于立方晶系，空間群為Ia3d,晶胞參數(shù)為a=12.4lA, V =1898. 75 A3。 Gd3Gas(^晶體結(jié)構(gòu)中的Gd離子所在的晶格位置的對稱性為D2，可 以被激活離子Yb37Er3VTrrT取代，發(fā)光效率較高。Yt)3+離子可以有效地吸收 980nmLD泵浦光源，并有效地把能量傳遞給E +和Tm"離子，由于E +和Tm"離子 發(fā)光特性，使得Yb7E 7Tm"Gd3Ga^納米材料在980nmL...
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