技術(shù)編號：3744877
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的不斷減小，化學機械拋光 (Chemical Mechanical Polishing,CMP)在半導(dǎo)體制造過程中提供全局平坦化所發(fā)揮的作用越來越大。拋光液是CMP的關(guān)鍵要素之一，拋光液的性能直接影響到拋光速率和拋光后表面的質(zhì)量。拋光液一般由超細固體拋光粉粒子(如納米或亞微米 ^203、&02，5 02、Α1203 粒子)，表面活性劑，PH值調(diào)節(jié)劑等組成，其中拋光粉粒子提供研磨作用，...
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