技術(shù)編號：3745514
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于稀土材料制備的，涉及拋光粉的制備方法。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是機(jī)械研磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，它借助超微粒子的研磨作用以及拋光漿料的化學(xué)腐蝕作用，在化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過程中去除被拋光介質(zhì)表面上極薄的一層材料，實現(xiàn)超精密平坦表面加工。制造大規(guī)模集成電路的硅片等晶體要有極高的平面度和超平滑表面，CMP技術(shù)被認(rèn)為是進(jìn)行這些表面加工最好也是唯一的全局平面化技術(shù)。CMP拋光液中的磨粒，在拋光過程中同時具有對工件表面的機(jī)械沖擊作用和對化學(xué)反應(yīng)的催...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。