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坩堝及其涂層方法技術資料下載

技術編號:3759185

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本發(fā)明涉及硅料生產(chǎn),特別是涉及ー種生產(chǎn)硅料的坩堝。此外,本發(fā)明還涉及ー種應用在此坩堝上的涂層方法。背景技術在光伏太陽能領域和半導體領域,應用最多的一種半導體材料是單晶硅/多晶硅材料。單/多晶硅材料的制備方法是通過投入原硅料至ー個坩堝系統(tǒng)中,坩堝一般都使用石英陶瓷坩堝,其主要成分是ニ氧化硅。原硅料先在坩堝內(nèi)熔化為液態(tài),然后再定向降溫生長出符合要求的単/多晶硅。目前行業(yè)的趨勢是生產(chǎn)尺寸更大的產(chǎn)品,這樣就使生產(chǎn)周期增長,液態(tài)硅料需要長時間和坩堝接觸,不僅容易引入...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。

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