技術(shù)編號：3765828
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適用于半導(dǎo)體裝置的形成布線工序中研磨的化學(xué)機(jī)械研磨用的研磨劑，和用它研磨基板的方法。背景技術(shù)近年來，伴隨著半導(dǎo)體集成電路(以下記作LSI)的高集成化和高性能化，開發(fā)了新型的細(xì)微加工技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨法(以下記作CMP)就是其中一種，是在LSI制造工序、特別是在形成多層布線工序中的層間絕緣膜的平坦化、形成金屬栓塞、形成埋入布線中，頻繁利用的技術(shù)。該技術(shù)公開在如美國專利第4944836號公報(bào)中。最近，為了使LSI高性能化，作為布線材料，試用了銅或銅合...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。