技術(shù)編號：3772957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板的布線形成工序等的研磨中所使用的CMP研磨液和研磨方法。背景技術(shù)近年來，伴隨著半導(dǎo)體集成電路(以下稱為LSI)的高集成化、高性能化而開發(fā)出新的微細(xì)加工技術(shù)?；瘜W(xué)機械研磨(以下稱為CMP)法也是其中之一，LSI制造工序特別是在多層布線形成工序中的層間絕緣膜的平坦化、金屬插塞形成、埋入布線形成中被頻繁利用的技術(shù)。該技術(shù)公開在專利文獻1中。另外，最近為了使LSI高性能化，作為構(gòu)成布線材料的導(dǎo)電性物質(zhì)，嘗試?yán)勉~和銅合金。但是，對于銅和銅合金，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。