技術(shù)編號：3777512
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米磨料的純化方法，尤其是涉及一種用于微電子加工領(lǐng)域CMP專用研磨拋光的硅溶膠的純化方法。背景技術(shù) 隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成度的不斷提高，線寬的不斷減小，集成電路工藝發(fā)展的高密度、細(xì)線條、淺結(jié)已經(jīng)成為主流。如果在加工過程中硅襯底片表面被有害重金屬雜質(zhì)沾污，則會(huì)影響器件的界面態(tài)，使器件靜態(tài)功耗電流增大，SiO2介質(zhì)擊穿強(qiáng)度降低，抗靜電能力減弱，閾值電壓漂移，器件功率老化出現(xiàn)早期失效，在CMOS、CCD等敏感器件中尤其突出，還可導(dǎo)致軍用器件抗核...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。