技術(shù)編號(hào)：3802228
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在發(fā)光裝置(LED)上沉積共軛聚合物層的配方。用半導(dǎo)體共軛聚合物作發(fā)光層的發(fā)光裝置是已知的。附圖說明圖1說明了一種簡(jiǎn)單的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。用陽極層4如氧化銦錫的形式來涂覆玻璃或塑料基底2。陽極可以以長(zhǎng)條狀的形式形成圖案。陽極層可以涂有空穴轉(zhuǎn)移層(holetransport layer)。然后沉積發(fā)光聚合物層6，隨后沉積電子轉(zhuǎn)移層。然后沉積陰極層8，構(gòu)成完整的裝置結(jié)構(gòu)。作為例子，陰極層可以是鈣或鋁。陰極層8可以以交叉條的形式形成圖案，以限定陽極和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。