技術(shù)編號：39900867
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別地涉及功率半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)、功率半導(dǎo)體器件用于承載大電流和支持高電壓。在本領(lǐng)域中已知多種功率半導(dǎo)體器件，包括例如功率金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(“misfet”，包括金屬氧化物半導(dǎo)體fet(“mosfet”))、雙極結(jié)型晶體管(“bjt”)、絕緣柵雙極晶體管(“igbt”)、結(jié)型勢壘肖特基二極管、柵極關(guān)斷晶體管(“gto”)、mos控制的晶閘管和多種其他器件。這些功率半導(dǎo)體器件通常由寬帶隙半導(dǎo)體材料制成，例如，碳化硅(“sic”)或基于iii族氮化物(例如，氮化...
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