技術(shù)編號：40426336
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及一種多閾值電壓調(diào)制的寬禁帶半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)、近年來，碳化硅sic和氮化鎵gan作為第三代半導(dǎo)體材料，因出色的材料特性，在禁帶寬度、臨界擊穿電場強(qiáng)度、電子飽和漂移速度等物理特性上相比傳統(tǒng)si材料更有優(yōu)勢，制備的功率器件如二極管、晶體管等具有更優(yōu)異的電學(xué)特性，能夠適用硅基器件無法滿足的高功率、高壓、高頻、高溫等應(yīng)用要求，也是超越摩爾定律的突破路徑之一，因此被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域，推動了“新能源革命”的發(fā)展。、目前，在功率開關(guān)應(yīng)用中，通常將巴利伽優(yōu)...
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