技術編號：40426635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于功率半導體，尤其是涉及一種gan高電子遷移率晶體管的動態(tài)導通電阻測試電路。背景技術、gan?hemt功率器件具有高工作頻率、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，能夠有效提高功率電子系統(tǒng)的效率和功率密度，因此在數(shù)據(jù)中心、電機驅動和航空航天等領域具有廣泛的應用前景。隨著gan?hemt商業(yè)化程度的不斷提高，器件魯棒性研究成為了業(yè)內的研究熱點之一。在實際功率電子系統(tǒng)中，在高速開關下，高di/dt、dv/dt會與電路中的寄生元件耦合產生電學應力，影響器件的性能。在柵極電壓、漏極電壓等電學應力條件下，gan...
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