技術(shù)編號：40428896
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種銅柱的制備方法。背景技術(shù)、銅柱凸塊互連技術(shù)是先進(jìn)封裝倒裝芯片的關(guān)鍵技術(shù)之一，受到廣泛的關(guān)注。銅柱凸塊的制備工藝主要包括在晶圓硅片上旋涂光刻膠（如聚酰亞胺）及光刻膠刻蝕圖形化、濺射種子層（包括ti或tiw的粘附層和在粘附層上的cu電鍍種子層，ubm）、涂覆光刻膠（pr）并光刻出需電鍍的圖形、銅柱凸塊的電鍍、焊料的電鍍、除pr和ubm、焊料回流。若是應(yīng)用于銅-銅鍵合的芯片封裝工藝，則電鍍銅柱后，省去焊料的電鍍，直接去除pr和ubm后進(jìn)行熱壓鍵合工藝。、在銅柱凸塊...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。