技術(shù)編號：40429412
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其脈沖調(diào)節(jié)等離子體方法。背景技術(shù)、根據(jù)摩根定律，同樣面積芯片上晶體管數(shù)量每隔-個月增加一倍，因此芯片加工愈加精細(xì)，芯片刻蝕線寬不斷減小，等離子體誘發(fā)損傷(plasmae?induced?damage，pid)問題愈發(fā)突出。為實現(xiàn)等離子體密度與能量的分別控制，通常在電容耦合等離子體(capacitor?coupled?plasma，ccp)刻蝕中使用兩個不同頻率的射頻電源，即使用高頻射頻電源來控制等離子體密度，以及使用低頻射頻電源來控制等...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。