技術(shù)編號(hào):40429573
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及抑制電路,具體的說(shuō)是涉及一種超結(jié)mos管的抑制電路。背景技術(shù)、超結(jié)mos管是mos管的一種,超結(jié)mos管的超結(jié)結(jié)構(gòu)打破了硅限,相對(duì)于傳統(tǒng)技術(shù),在相同的芯片面積上,導(dǎo)通電阻降低了%-%,并且具有高開(kāi)關(guān)速度。、超結(jié)mos管的優(yōu)勢(shì)是效率高,成本低,但劣勢(shì)是輻射難度大,在這種情況下w以上大家在為了解決溫升,多選擇超結(jié)mos管。、目前氮化鎵的價(jià)格還沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。超結(jié)mos管能解決平面mos不能解決的溫升問(wèn)題,但是也帶來(lái)了比平面mos難度更大的輻射問(wèn)題。正常大家會(huì)在整流橋后,主電解電...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。