技術(shù)編號：40431172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微機(jī)電(micro-electro-mechanical?systems,mems)，具體涉及一種在厚度方向具有對稱結(jié)構(gòu)的硅上壓電薄膜蘭姆波諧振器及其制備方法。背景技術(shù)、基于壓電效應(yīng)的聲學(xué)諧振器可構(gòu)成聲學(xué)濾波器，聲學(xué)濾波器是當(dāng)前射頻前端模塊中最核心元器件之一。目前市場上主流的包括聲表面波諧振器和體聲波諧振器。其中聲表面波諧振器的工作頻率由叉指電極的間距決定，受工藝加工精度的影響，工作頻率一般在ghz以下。而體聲波諧振器的工作頻率由壓電薄膜的厚度決定，它可工作在更高頻率，但較難在同一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。