技術編號：40434499
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件領域，具體涉及一種既不依賴p型襯底晶圓也不采用p型外延工藝的實現sic橫向耐壓結構的工藝方法，可用于sic?ldmos(lateral?double-diffusedmosfet)等器件。背景技術、sic橫向器件兼有sic的材料優(yōu)勢和橫向器件的可集成優(yōu)勢，具有擊穿電壓高、比導通電阻低、易與ic集成、散熱好等特點，在單片集成的功率電路與射頻電路中有著廣闊的應用空間。、然而，要制成sic橫向器件，首要任務在于構建位于漂移區(qū)下方的、接地的p型區(qū)，以阻止漂移區(qū)中電子往襯底電極的流...
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