技術(shù)編號：40435366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種晶圓外延膜厚量測設(shè)備。背景技術(shù)、半導(dǎo)體晶圓在制造過程中，需要形成不同外延膜層，每一層外延膜的厚度也不盡相同，外延膜厚是影響晶圓物理性質(zhì)的重要參數(shù)之一。為了精確的實現(xiàn)電路功能，需要精確控制形成在半導(dǎo)體晶圓表面的每一層外延膜的厚度，以防止形成的外延膜厚度太厚或太薄導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓不符合要求，影響半導(dǎo)體晶圓的良率。因此，為了能夠監(jiān)控形成外延膜的厚度，通常會在外延膜形成后對其進行厚度的測量，若發(fā)現(xiàn)厚度異常，則應(yīng)立馬做出相應(yīng)的改進措施。、現(xiàn)有的量測設(shè)備缺少校正機構(gòu)，使得...
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