技術編號：40435935
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件相關，具體地說，涉及一種電荷俘獲層的制備方法及非易失性存儲器件。背景技術、快閃存儲器(flash?memory，閃存)是一種電子非易失性信息存儲器(non-volatile?memory，nvm)，能夠在斷電后保留數據，閃存是實現所有主要終端用戶設備(智能手機、個人電腦、usb、醫(yī)療設備、電子游戲等)所需的低成本高密度數據存儲的主要手段，廣泛應用于各種電子設備中。閃存的工作原理基于浮點門和控制門的組合，通過fowler-nordheim(f-n)隧道效應來改變浮點門中的電子...
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