技術(shù)編號：40440454
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及晶圓加工，尤其涉及一種晶圓加工工裝。背景技術(shù)、目前，微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件芯片生產(chǎn)工藝中，會(huì)涉及到各種腐蝕液腐蝕或者去除某些犧牲層，例如硅片表面的圖形化工藝。晶圓硅片包括單刨面晶圓和雙刨面晶圓，單刨面晶圓為具有圖形結(jié)構(gòu)的一面為精刨面，有利于晶圓的圖形化，雙刨面晶圓為兩片硅片通過高溫壓合為一體的結(jié)構(gòu)。硅片表面圖形化制作中，需在硅片表面形成所需要的二氧化硅，然后利用濕法單片機(jī)臺刻蝕形成圖形化。、然而，現(xiàn)有的單片刻蝕機(jī)臺...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。