技術(shù)編號：40457025
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池，特別是涉及一種n型晶硅電池的缺陷修復(fù)方法及其制備方法。背景技術(shù)、近些年來，隨著n型硅片高少子壽命、對金屬污染容忍度高、無光致硼氧衰減等優(yōu)點，越來越多電池廠商選擇在n型基底上制備高效的晶硅電池，例如topcon電池、hjt電池、n型bc電池等。、然而，在lpcvd路線下的n型晶硅電池雖然轉(zhuǎn)化效率相對p型高，但是良率卻較perc技術(shù)低，主要原因在于類交叉隱裂等缺陷問題?，F(xiàn)有研究表明，產(chǎn)生類交叉隱裂缺陷的主要原因在于硼擴前硅片上吸附了粉塵顆粒，但是，現(xiàn)有工廠已經(jīng)無法滿足更高潔...
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