技術(shù)編號(hào)：40480963
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別是涉及一種包括密封劑層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)、三維集成電路(three?dimensional?integrated?circuit，dic)總成可包括兩個(gè)或更多個(gè)集成電路(integrated?circuit，ic)管芯，其垂直堆疊并沿接合線接合。dic組件可通過使用諸如晶片上覆晶片(wafer-on-wafer，wow)接合操作的晶片接合操作堆疊包括兩個(gè)或更多個(gè)ic管芯的兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體襯底來形成。在接合操作之后，包括兩個(gè)或更多ic管芯的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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