技術(shù)編號(hào)：40481420
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種功率模塊耦合熱阻計(jì)算方法及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)、功率模塊通常是指在電子設(shè)備中用于處理和轉(zhuǎn)換電能的組件。它們可以是獨(dú)立的組件，也可以是集成在電路板上的模塊。功率半導(dǎo)體器件：如igbt(絕緣柵雙極晶體管)、mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等，用于高速開關(guān)和功率放大。、igbt(絕緣柵雙極晶體管)功率模塊是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了mosfet的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性和雙極晶體管的高電流、低飽和電壓能力。igbt模塊通常由多個(gè)igbt芯片通過特定的電...
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