技術(shù)編號(hào)：40507392
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭露關(guān)于一種多層半導(dǎo)體封裝組件、應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置及應(yīng)力調(diào)節(jié)裝置的制造方法。背景技術(shù)、半導(dǎo)體元件用于各種電子應(yīng)用，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、單元手機(jī)、數(shù)字相機(jī)和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件是通過(guò)相繼地在基底上沉積絕緣或材料的介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層來(lái)制造的，而圖案化各種材料層使用微影在其上形成電路構(gòu)件和組件。隨著半導(dǎo)體行業(yè)追求更高的元件密度、更高的效能和更低的成本而進(jìn)入納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，在制造和設(shè)計(jì)問題上的挑戰(zhàn)因而發(fā)展了三維設(shè)計(jì)，其包含，例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal-oxide-silicon?...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。