技術(shù)編號：40507643
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)屬于太陽能電池，具體涉及一種topcon電池結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、topcon(tunnel?oxidepassivated?contact)是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池技術(shù)，其電池結(jié)構(gòu)為n型硅襯底電池，電池背面的氧化硅層能起到鈍化和讓電子隧穿通過的作用，多晶硅層為摻磷n型多晶硅層，能起到將電子輸運至電極的作用。、現(xiàn)有的topcon電池通常采用正面絨面，其目的是減少光從外部入射至電池表面時的反射率，即減少入射光的外部反射損失，提高短路電流，最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。